期货夜盘交易

股票配资 /科创板/大盘行情/股吧/操盘必读/机构策略/股票产品/股市点评/新股发行/交易统计/自选基金
当前位置: 股票配资 > 科创板 >

科胜讯宣布取得硅锗工艺技术效能的突破性进展

2020-03-03 00:24:14

  全球领先的通讯芯片制造商科胜讯系统公司(Conexant Systems Inc.)日前宣布取得硅锗(SiGe)集成电路工艺技术的重要突破,新推出的SiGe200工艺技术拥有目前业界硅制晶体管最高的效能,同时具有切换速度在电流(转换频率Ft为200GHz)与功耗(最高频率Fmax为180GHz)上的最佳组合。

  这项效能成就取得了一个重要的里程碑,同时能够将硅芯片技术的成本优势带向各种范围广泛的高度集成光网络应用器件,提供每秒达80Gbps的超快数据率以及多信道10Gbps电路的超低功耗,无线通讯器件将同时能够由这个新工艺所提供的低噪声、低功耗与更佳的线性度取得发展的优势。

  「提升光通讯数据率的需求带来了更高效能工艺技术的发展,」科胜讯系统主席兼执行官Dwight W. Decker表示,「我们的超快速SiGe200工艺技术为高效能、低成本的无线通讯与基础架构器件提供了清楚的未来發展途径,进一步推动通讯技术的发展。」

  科胜讯的SiGe200突破性工艺技术是基于科胜讯经验证的0.18微米SiGe双极互补金氧半导体(BiCMOS)工艺技术SiGe120所研制完成,这个工艺集成了特别的双极晶体管设计,可藉由缩小体积来提供效能的优势,如同标准CMOS技术中晶体管的缩放技术一般,直到最近,双极性晶体管由于某些限制,一直无法使用侵入式侧面缩放技术,直到这项新方法的推出才取得突破。

  在日前于美国华盛顿D.C.所举办的IEEE国际电子器件会议(IEDM, International Electron Devices Meeting)中,科胜讯发表了其在硅锗工艺技术发展上的突破与相关讯息,并在讲演中描述了SiGe200工艺技术能够达到快速切换、高Ft与Fmax以及高于200GHz效能实现的各个進程。

  编辑注记:科胜讯系统公司提供有一篇名为「先进BiCMOS技术用超高速硅锗SiGe NPN」(Ultra High-Speed SiGe NPN advanced BiCMOS Technology)的论文,如想取得更进一步的信息,可向各地区期货配资 连络人索取。

  科胜讯系统公司

  科胜讯系统公司是全球领先的通讯半导体解决方案供应商。科胜讯充分利用其在混合信号处理电路设计方面的专长,通过两部分独立业务:科胜讯和敏迅,为各类通讯应用提供半导体产品和系统方案。

  科胜讯个人网络业务主要包括无线通讯、数字信息娱乐、个人计算产品,服务移动通讯和宽带数码家庭。敏迅的业务重点是互联网基础设施产品,包括广域网传输、多服务接入、宽带接入,服务从互联网边缘到光纤核心的所有应用。

  科胜讯公司总部位于美国加州Newport Beach,2001财政年度收入为11亿美元,全球拥有约6,900名员工。科胜讯是标准普尔500指数和纳斯达克100指数成员。欲知详情,请访问网址:www.conexant.com。